LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
NOVA部品番号:
312-2274209-LND01K1-G
製造メーカー部品番号:
LND01K1-G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -25°C ~ 125°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-5 | |
| 基本製品番号 | LND01 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 330mA (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | SC-74A, SOT-753 | |
| Vgs (最大) | +0.6V, -12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 9 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 46 pF @ 5 V | |
| 消費電力(最大) | 360mW (Ta) | |
| その他の名前 | LND01K1-GDKR LND01K1-GTR LND01K1-GCT LND01K1-G-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSS159NH6906XTSA1Infineon Technologies
- BSP149H6906XTSA1Infineon Technologies
- 2SK209-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
- BSS159NH6327XTSA2Infineon Technologies
- DN1509K1-GMicrochip Technology
- LND150N3-GMicrochip Technology
- SI1050X-T1-GE3Vishay Siliconix
- DMN1260UFA-7BDiodes Incorporated
- CPC3701CTRIXYS Integrated Circuits Division
- BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies









