SI1050X-T1-GE3

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MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

NOVA部品番号:

312-2263398-SI1050X-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1050X-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-89 (SOT-563F)
基本製品番号	SI1050
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.34A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-563, SOT-666
Vgs (最大)	±5V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	8 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	585 pF @ 4 V
消費電力(最大)	236mW (Ta)
その他の名前	SI1050X-T1-GE3DKR SI1050X-T1-GE3CT SI1050XT1GE3 SI1050X-T1-GE3TR