IPB80N08S2L07ATMA1

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
基本製品番号	IPB80N08
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	233 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	75 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5400 pF @ 25 V
消費電力(最大)	300W (Tc)
その他の名前	IPB80N08S2L07ATMA1CT IPB80N08S2L-07-ND IPB80N08S2L-07 SP000219051 IPB80N08S2L-07DKR-ND IPB80N08S2L07 IPB80N08S2L-07DKR IPB80N08S2L07ATMA1DKR IPB80N08S2L07ATMA1TR IPB80N08S2L-07CT IPB80N08S2L-07CT-ND IPB80N08S2L-07TR-ND

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！