RSJ650N10TL

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LPTS
基本製品番号	RSJ650
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	65A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	260 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	10780 pF @ 25 V
消費電力(最大)	100W (Tc)
その他の名前	RSJ650N10TLDKR RSJ650N10TLCT RSJ650N10TLTR

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