UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
NOVA部品番号:
312-2278050-UF3C065080B7S
製造元:
製造メーカー部品番号:
UF3C065080B7S
ひょうじゅんほうそう:
800
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK-7 | |
| 基本製品番号 | UF3C065080 | |
| テクノロジー | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 27A (Tc) | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 6V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 23 nC @ 12 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | ±25V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 760 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 136.4W (Tc) | |
| その他の名前 | 2312-UF3C065080B7STR 2312-UF3C065080B7SCT 2312-UF3C065080B7SDKR |
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