SCT3120ALGC11

SICFET N-CH 650V 21A TO247N
NOVA部品番号:
312-2280546-SCT3120ALGC11
製造メーカー部品番号:
SCT3120ALGC11
ひょうじゅんほうそう:
450
技術データシート:

N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247N
基本製品番号 SCT3120
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 21A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)18V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID 5.6V @ 3.33mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 38 nC @ 18 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-3
Vgs (最大)+22V, -4V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 460 pF @ 500 V
消費電力(最大) 103W (Tc)
その他の名前Q12567120

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