BSM600C12P3G201

SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
NOVA部品番号:
312-2289978-BSM600C12P3G201
製造メーカー部品番号:
BSM600C12P3G201
ひょうじゅんほうそう:
4
技術データシート:

N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Module
基本製品番号 BSM600
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 600A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs -
Vgs(th) (最大) @ ID 5.6V @ 182mA
FETの特徴-
パッケージ・ケースModule
Vgs (最大)+22V, -4V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 28000 pF @ 10 V
消費電力(最大) 2460W (Tc)

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