BSM600D12P3G001

1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
NOVA部品番号:
303-2250944-BSM600D12P3G001
製造メーカー部品番号:
BSM600D12P3G001
ひょうじゅんほうそう:
4
技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Module
基本製品番号 BSM600
パッケージ・ケースModule
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 600A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs -
Vgs(th) (最大) @ ID 5.6V @ 182mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs -
FETの特徴Silicon Carbide (SiC)
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200V (1.2kV)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 31000pF @ 10V
パワー - 最大 2450W (Tc)
その他の名前846-BSM600D12P3G001

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