BSM180C12P3C202
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
NOVA部品番号:
312-2275707-BSM180C12P3C202
製造メーカー部品番号:
BSM180C12P3C202
ひょうじゅんほうそう:
12
技術データシート:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module | |
| 基本製品番号 | BSM180 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | - | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | - | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.6V @ 50mA | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | Module | |
| Vgs (最大) | +22V, -4V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9000 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 880W (Tc) | |
| その他の名前 | 846-BSM180C12P3C202 |
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