SUP60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
NOVA部品番号:
312-2271510-SUP60061EL-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUP60061EL-GE3
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 218 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9600 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 375W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SUP60061EL-GE3 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- AOI21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- SUP70101EL-GE3Vishay Siliconix
- FQP47P06onsemi
- SQP90P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- IXTR210P10TIXYS
- IXTP96P085TIXYS
- SUM60061EL-GE3Vishay Siliconix
- IXTP48P05TIXYS
- SQP50P03-07_GE3Vishay Siliconix
- IXTH90P10PIXYS





