SUP60061EL-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
NOVA部品番号:
312-2271510-SUP60061EL-GE3
製造メーカー部品番号:
SUP60061EL-GE3
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:

P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズTrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 150A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 218 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±20V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 9600 pF @ 40 V
消費電力(最大) 375W (Tc)
その他の名前742-SUP60061EL-GE3

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