TPH9R506PL,LQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOP Advance (5x5)
基本製品番号	TPH9R506
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSIX-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	34A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	21 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1910 pF @ 30 V
消費電力(最大)	830mW (Ta), 81W (Tc)
その他の名前	264-TPH9R506PLLQTR 264-TPH9R506PLLQCT TPH9R506PL,LQ(S 264-TPH9R506PLLQDKR

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