PSMN2R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
NOVA部品番号:
312-2281817-PSMN2R0-30YL,115
製造メーカー部品番号:
PSMN2R0-30YL,115
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 | |
| 基本製品番号 | PSMN2R0 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.15V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3980 pF @ 12 V | |
| 消費電力(最大) | 97W (Tc) | |
| その他の名前 | 568-4679-1 568-4679-2 934063069115 PSMN2R0-30YL T/R 1727-4163-6 1727-4163-1 1727-4163-2 568-4679-6-ND 568-4679-1-ND 568-4679-2-ND 568-4679-6 |
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