PSMN1R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
NOVA部品番号:
312-2280729-PSMN1R0-30YLDX
製造メーカー部品番号:
PSMN1R0-30YLDX
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 | |
| 基本製品番号 | PSMN1R0 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.02mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 2mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 121.35 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8598 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 238W (Tc) | |
| その他の名前 | 568-11555-1-ND 568-11555-2 568-11555-1 934068234115 PSMN1R0-30YLDX-ND 1727-1859-6 568-11555-6-ND 1727-1859-2 1727-1859-1 568-11555-6 568-11555-2-ND |
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