PSMN2R0-30YLDX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK56, Power-SO8
基本製品番号	PSMN2R0
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	46 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-100, SOT-669
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2969 pF @ 15 V
消費電力(最大)	142W (Tc)
その他の名前	1727-2218-2 568-12472-6-ND 568-12472-1 568-12472-2 1727-2218-1 568-12472-1-ND 568-12472-2-ND PSMN2R0-30YLDX-ND 1727-2218-6 934067964115 PSMN2R0-30YLD,115 568-12472-6

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