IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283550-IPB027N10N3GATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB027N10N3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB027 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 275µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14800 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 300W (Tc) | |
| その他の名前 | IPB027N10N3 GCT IPB027N10N3GATMA1CT IPB027N10N3 G-ND IPB027N10N3 GDKR-ND SP000506508 IPB027N10N3GATMA1DKR IPB027N10N3G IPB027N10N3GATMA1TR IPB027N10N3 G IPB027N10N3 GTR-ND IPB027N10N3 GDKR IPB027N10N3 GCT-ND |
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