IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283595-IPB107N20N3GATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB107N20N3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB107 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 88A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10.7mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 270µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7100 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 300W (Tc) | |
| その他の名前 | IPB107N20N3 G IPB107N20N3GATMA1CT IPB107N20N3 GCT IPB107N20N3 GCT-ND IPB107N20N3 GTR-ND IPB107N20N3 G-ND SP000676406 IPB107N20N3 GTR IPB107N20N3 GDKR-ND IPB107N20N3 GDKR IPB107N20N3G IPB107N20N3GATMA1DKR IPB107N20N3GATMA1TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
LTC7001MPMSE#PBFAnalog Devices Inc.
LTC4359HMS8#PBFAnalog Devices Inc.
IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
LP5907MFX-2.5/NOPBTexas Instruments- IPB107N20NAATMA1Infineon Technologies
- IPB027N10N3GATMA1Infineon Technologies
PMEG3050EP,115Nexperia USA Inc.- IPB072N15N3GATMA1Infineon Technologies
LT3092MPST#TRPBFAnalog Devices Inc.
IXTA94N20X4IXYS
