IPB072N15N3GATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
基本製品番号	IPB072
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	8V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 270µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	93 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5470 pF @ 75 V
消費電力(最大)	300W (Tc)
その他の名前	IPB072N15N3G IPB072N15N3GATMA1TR IPB072N15N3 GTR-ND IPB072N15N3 GCT-ND IPB072N15N3GATMA1DKR SP000386664 IPB072N15N3 G-ND IPB072N15N3GATMA1CT IPB072N15N3 G IPB072N15N3 GCT IPB072N15N3 GDKR-ND IPB072N15N3 GDKR 2156-IPB072N15N3GATMA1 INFINFIPB072N15N3GATMA1