SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283041-SUM80090E-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUM80090E-GE3
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| 基本製品番号 | SUM80090 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | ThunderFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 128A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3425 pF @ 75 V | |
| 消費電力(最大) | 375W (Tc) | |
| その他の名前 | SUM80090E-GE3CT SUM80090E-GE3DKR SUM80090E-GE3TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRFS4115TRLPBFInfineon Technologies
UMT3904T106Rohm Semiconductor
SS26FLonsemi
MBR1020LL_R1_00001Panjit International Inc.
TCJD107M025R0055Kyocera AVX
ACZRC5366B-GComchip Technology
AOB2502LAlpha & Omega Semiconductor Inc.- IXFA130N15X3TRLIXYS
VS-40CPQ060-N3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SUM70060E-GE3Vishay Siliconix
IRFS4310TRRPBFInternational Rectifier- IPB072N15N3GATMA1Infineon Technologies
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
