SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
NOVA部品番号:
312-2295735-SQJ180EP-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJ180EP-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 80 V 248A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 248A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6645 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 500W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SQJ180EP-T1_GE3CT 742-SQJ180EP-T1_GE3DKR 742-SQJ180EP-T1_GE3TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- NTAT6H406NT4Gonsemi
- NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
- SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
- NTMTS001N06CLTXGonsemi
- SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
- IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
- FDBL0210N80onsemi
- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
- NVMJS2D5N06CLTWGonsemi







