SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

NOVA部品番号:

303-2066737-SIZ342ADT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ342ADT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 33.4A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-Power33 (3x3)
基本製品番号	SIZ342
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12.2nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	580pF @ 15V
パワー - 最大	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
その他の名前	742-SIZ342ADT-T1-GE3DKR 742-SIZ342ADT-T1-GE3TR 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT

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