SISB46DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

NOVA部品番号:

303-2361107-SISB46DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SISB46DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8 Dual
基本製品番号	SISB46
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11nC @ 4.5V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1100pF @ 20V
パワー - 最大	23W
その他の名前	SISB46DN-T1-GE3CT SISB46DN-T1-GE3DKR SISB46DN-T1-GE3TR

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