SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

NOVA部品番号:

303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIZ322DT-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-Power33 (3x3)
基本製品番号	SIZ322
パッケージ・ケース	8-PowerWDFN
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	20.1nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	25V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	950pF @ 12.5V
パワー - 最大	16.7W (Tc)
その他の名前	SIZ322DT-T1-GE3DKR SIZ322DT-T1-GE3CT SIZ322DT-T1-GE3TR

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