SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

NOVA部品番号:

303-2251458-SIS990DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SIS990DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8 Dual
基本製品番号	SIS990
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8 Dual
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	85mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	8nC @ 10V
FETの特徴	Standard
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	250pF @ 50V
パワー - 最大	25W
その他の名前	SIS990DN-T1-GE3TR SIS990DN-T1-GE3DKR SIS990DN-T1-GE3CT

In stock もっと必要ですか。

$1.15350

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！