EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
NOVA部品番号:
303-2247424-EPC2110
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2110
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A - Die
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
| パッケージ・ケース | Die | |
| シリーズ | eGaN® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.4A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 700µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.8nC @ 5V | |
| FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Source | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 120V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 80pF @ 60V | |
| パワー - 最大 | - | |
| その他の名前 | 917-1152-6 917-1152-2 917-1152-1 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
FDMA1024NZonsemi
EPC2104EPC
EPC2036EPC
LMG1020YFFRTexas Instruments
TCR2EN36,LFToshiba Semiconductor and Storage
EPC2212EPC
MCB40P1200LB-TUBIXYS
EPC2111EPC
EPC2012CEPC- EPC2035EPC
EPC2106EPC
EPC2107EPC- EPC2103EPC
