EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
NOVA部品番号:
303-2243243-EPC2111
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2111
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
パッケージ・ケースDie
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
FETの特徴GaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
パワー - 最大 -
その他の名前917-1174-6
917-1174-2
917-1174-1

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