EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

NOVA部品番号:

303-2247466-EPC2107

製造元:

製造メーカー部品番号:

EPC2107

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	EPC
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	9-BGA (1.35x1.35)
パッケージ・ケース	9-VFBGA
シリーズ	eGaN®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FETの特徴	GaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプ	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
パワー - 最大	-
その他の名前	917-1168-2 917-1168-1 917-1168-6

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