EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
NOVA部品番号:
303-2247908-EPC2108
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2108
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) | |
| パッケージ・ケース | 9-VFBGA | |
| シリーズ | eGaN® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | |
| FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V, 100V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
| パワー - 最大 | - | |
| その他の名前 | 917-1169-1 917-1169-2 917-1169-6 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
