BSM080D12P2C008

SIC POWER MODULE-1200V-80A
NOVA部品番号:
303-2247558-BSM080D12P2C008
製造メーカー部品番号:
BSM080D12P2C008
ひょうじゅんほうそう:
12
技術データシート:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプChassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Module
基本製品番号 BSM080
パッケージ・ケースModule
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs -
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 13.2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs -
FETの特徴Silicon Carbide (SiC)
FETタイプ2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200V (1.2kV)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 800pF @ 10V
パワー - 最大 600W

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