IPD60R400CEAUMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-2
Numéro de produit de base	IPD60R400
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ CE
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	14.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	112W (Tc)
Autres noms	IPD60R400CEAUMA1-ND 2156-IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1DKR IPD60R400CEAUMA1CT IPD60R400CEAUMA1TR INFINFIPD60R400CEAUMA1 SP001396880

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