IPD60R360P7SAUMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Numéro de produit de base	IPD60R360
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ P7
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 140µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	555 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	41W (Tc)
Autres noms	ROCINFIPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1TR IPD60R360P7SAUMA1DKR IPD60R360P7SAUMA1CT 2156-IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1-ND SP001658166

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