IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
NOVA partie #:
312-2285617-IPD70R600P7SAUMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD70R600P7SAUMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | IPD70R600 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ P7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 700 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 43W (Tc) | |
| Autres noms | IPD70R600P7SAUMA1CT IPD70R600P7SAUMA1TR SP001491636 IPD70R600P7SAUMA1DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon Technologies
STD8N60DM2STMicroelectronics
IPD80R900P7ATMA1Infineon Technologies- IPD65R650CEAUMA1Infineon Technologies
ZVNL120GTADiodes Incorporated- IPD65R400CEAUMA1Infineon Technologies
- IPD70R360P7SAUMA1Infineon Technologies
IR2113STRPBFInfineon Technologies
IPN50R650CEATMA1Infineon Technologies- IPD70R900P7SAUMA1Infineon Technologies
IPD60R400CEAUMA1Infineon Technologies
