IXTT170N10P

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MOSFET N-CH 100V 170A TO268

NOVA partie #:

312-2291204-IXTT170N10P

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXTT170N10P

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-268AA
Numéro de produit de base	IXTT170
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Polar
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	198 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	715W (Tc)