C3M0120090D

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
NOVA partie #:
312-2272787-C3M0120090D
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
C3M0120090D
Paquet Standard:
30
Fiche technique:

N-Channel 900 V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Wolfspeed, Inc.
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-247-3
Numéro de produit de base C3M0120090
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
SérieC3M™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-3
Vg (Max)+18V, -8V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)900 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 414 pF @ 600 V
Dissipation de puissance (maximale) 97W (Tc)
Autres noms1697-C3M0120090D
C3M0120090D-ND
-3312-C3M0120090D

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!