C3M0120065D

650V 120M SIC MOSFET
NOVA partie #:
312-2293222-C3M0120065D
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
C3M0120065D
Paquet Standard:
30
Fiche technique:

N-Channel 650 V 22A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Wolfspeed, Inc.
RoHS 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-247-3
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
SérieC3M™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1.86mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 15 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-247-3
Vg (Max)+19V, -8V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale) 98W (Tc)
Autres noms1697-C3M0120065D
-3312-C3M0120065D

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