TP90H050WS

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GANFET N-CH 900V 34A TO247-3

NOVA partie #:

312-2265009-TP90H050WS

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

TP90H050WS

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Transphorm
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Numéro de produit de base	TP90H050
Technologie	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	900 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 600 V
Dissipation de puissance (maximale)	119W (Tc)
Autres noms	1707-TP90H050WS