C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
NOVA partie #:
312-2264824-C3M0065100J
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
C3M0065100J
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 1000 V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK-7 | |
| Numéro de produit de base | C3M0065100 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | C3M™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 15 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vg (Max) | +15V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1000 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 600 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 113.5W (Tc) |
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