C3M0065090J

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SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

NOVA partie #:

312-2289912-C3M0065090J

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

C3M0065090J

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 900 V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Wolfspeed, Inc.
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	D2PAK-7
Numéro de produit de base	C3M0065090
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Série	C3M™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 15 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vg (Max)	+19V, -8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	900 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 600 V
Dissipation de puissance (maximale)	113W (Tc)
Autres noms	-3312-C3M0065090J 1697-C3M0065090J C3M0065090J-ND