C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
NOVA partie #:
312-2265003-C3M0075120J
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
C3M0075120J
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK-7 | |
| Numéro de produit de base | C3M0075120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | C3M™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vg (Max) | +19V, -8V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 1000 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 113.6W (Tc) | |
| Autres noms | -3312-C3M0075120J C3M0075120J-ND 1697-C3M0075120J |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
C3M0075120KWolfspeed, Inc.
UF3C120080B7SUnitedSiC
1N4448WTonsemi
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon Technologies- IMBG120R030M1HXTMA1Infineon Technologies
BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies
NTBG040N120SC1onsemi- C3M0160120JWolfspeed, Inc.
MM3Z15VT1Gonsemi
REF5045AIDRTexas Instruments