IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
NOVA partie #:
312-2276594-IXTH1N200P3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTH1N200P3
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) | |
| Numéro de produit de base | IXTH1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Polar P3™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 2000 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 125W (Tc) |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
STW12N170K5STMicroelectronics
IXTH1N170DHVIXYS
IXTA1N200P3HVIXYS- IXTH1N200P3HVIXYS
IXTH02N250IXYS
IXTX6N200P3HVIXYS
STFW3N150STMicroelectronics
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronics
IXTT02N450HVIXYS- IXTH3N200P3HVIXYS
- STW4N150STMicroelectronics
C2M1000170DWolfspeed, Inc.
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STW3N170STMicroelectronics