IXTH3N200P3HV

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MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

NOVA partie #:

312-2273497-IXTH3N200P3HV

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXTH3N200P3HV

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-247 (IXTH)
Numéro de produit de base	IXTH3
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Polar P3™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	2000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1860 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	520W (Tc)
Autres noms	-IXTH3N200P3HV