IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
NOVA partie #:
312-2291962-IXFN110N85X
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXFN110N85X
Paquet Standard:
10
Fiche technique:
N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-227B | |
| Numéro de produit de base | IXFN110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HiPerFET™, Ultra X | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 425 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 850 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1170W (Tc) |
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