IXFN150N65X2

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MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B

NOVA partie #:

312-2283956-IXFN150N65X2

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXFN150N65X2

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 650 V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-227B
Numéro de produit de base	IXFN150
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HiPerFET™, Ultra X2
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	145A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	355 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	21000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	1040W (Tc)
Autres noms	632512 IXFN150N65X2X IXFN150N65X2X-ND