TK6R7P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
NOVA partie #:
312-2287748-TK6R7P06PL,RQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK6R7P06PL,RQ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount DPAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK | |
| Numéro de produit de base | TK6R7P06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSIX-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 46A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 23A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 66W (Tc) | |
| Autres noms | TK6R7P06PLRQCT TK6R7P06PLRQ TK6R7P06PLRQ(S2 TK6R7P06PLRQTR TK6R7P06PLRQDKR TK6R7P06PL,RQ(S2 TK6R7P06PL,RQTR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and Storage- TK4R4P06PL,RQToshiba Semiconductor and Storage
NTD5865NLT4Gonsemi