TK3R1P04PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
NOVA partie #:
312-2285619-TK3R1P04PL,RQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK3R1P04PL,RQ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK | |
| Numéro de produit de base | TK3R1P04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSIX-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 58A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 87W (Tc) | |
| Autres noms | TK3R1P04PLRQCT TK3R1P04PLRQ(S2 TK3R1P04PLRQDKR TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PLRQTR TK3R1P04PLRQ TK3R1P04PL,RQTR |
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