IPB80P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
NOVA partie #:
312-2288571-IPB80P03P4L04ATMA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB80P03P4L04ATMA2
Paquet Standard:
1,000
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | IPB80P03 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | +5V, -16V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 137W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR SP002325736 448-IPB80P03P4L04ATMA2TR 448-IPB80P03P4L04ATMA2CT |
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