IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
NOVA partie #:
312-2288840-IPB120P04P4L03ATMA2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB120P04P4L03ATMA2
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | IPB120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS®-P2 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | +5V, -16V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 40 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 136W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPB120P04P4L03ATMA2CT 448-IPB120P04P4L03ATMA2DKR 448-IPB120P04P4L03ATMA2TR SP002325760 |
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