IPB120P04P404ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

NOVA partie #:

312-2283040-IPB120P04P404ATMA2

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPB120P04P404ATMA2

Paquet Standard:

1,000

P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	IPB120
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 340µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	205 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14790 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	448-IPB120P04P404ATMA2CT SP002325758 448-IPB120P04P404ATMA2TR 448-IPB120P04P404ATMA2DKR