CSD19535KTT

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	DDPAK/TO-263-3
Numéro de produit de base	CSD19535
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7930 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	300W (Tc)
Autres noms	296-45538-2 296-45538-6 CSD19535KTT-ND 296-45538-1 -296-45538-1-ND

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