CSD19506KTT

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	DDPAK/TO-263-3
Numéro de produit de base	CSD19506
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12200 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	375W (Tc)
Autres noms	296-49604-6 CSD19506KTT-ND 296-49604-1 296-49604-2

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!