FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
NOVA partie #:
312-2283528-FDB035N10A
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDB035N10A
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) | |
| Numéro de produit de base | FDB035 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7295 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 333W (Tc) | |
| Autres noms | FDB035N10ATR FDB035N10ACT FDB035N10A-ND FDB035N10ADKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
- FDB0300N1007Lonsemi
- PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
- IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
- FDB86135onsemi
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- DMG1013UW-7Diodes Incorporated
- 1N4148WS RRGTaiwan Semiconductor Corporation
- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
- NTB004N10Gonsemi
- 1N5363BRLGonsemi
- CSD19536KTTTexas Instruments
- IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies











